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來源:http://ollopemedia.com 作者:zhaoxiandz 2024年10月23
FCO3C012000A3CCU00 3225 12MHZ XO CMOS 1.8-3.3V 20PP -40+105富士Fuji晶振
可程式設計振蕩器的特點、優(yōu)勢與局限性及其相位雜訊和抖動的優(yōu)化
隨著電子設備的不斷進步,進口晶振對頻率源的靈活性和性能要求也越來越高.可程式設計振蕩器作為一種能夠通過程式設計設定輸出頻率的富士晶振晶體振蕩器,因其獨特的特點和優(yōu)勢,廣泛應用于各種需要靈活頻率配置的電子設備中.本文將探討可程式設計振蕩器的特點、優(yōu)勢及局限性,并深入分析其在相位雜訊和抖動優(yōu)化方面的關鍵技術.
車規(guī)級別晶振,耐高溫汽車晶振,有源差分晶振
一、可程式設計振蕩器的特點
可程式設計振蕩器具有許多顯著特點,使其在現(xiàn)代電子設計中備受青睞.首先,頻率可程式設計是其最核心的特點,通過數(shù)位介面(如I²C、SPI等)進行程式設計,可調范圍通常覆蓋幾千赫茲到數(shù)百兆赫茲.這種靈活性使得設計者能夠根據(jù)實際需求快速更改頻率、占空比等參數(shù),極大地提升了設計的靈活性和適應性.
此外,可程式設計振蕩器還具有多功能性,支援多種輸出模式,包括單端輸出(如CMOS)和LVDS差分晶振輸出(如LVPECL、LVDS).這種多功能性使得它們能夠適應不同的應用場景,減少了對外部元件的需求,提高了電路設計的集成度.
二、可程式設計振蕩器的優(yōu)勢
可程式設計振蕩器的優(yōu)勢在于其設計靈活性、簡化的庫存管理以及快速的原型設計能力.在產(chǎn)品開發(fā)初期,頻率可能尚未確定,這時使用可程式設計振蕩器能夠減少設計變更帶來的麻煩,并允許在生產(chǎn)后或現(xiàn)場進行程式設計調整,從而加快開發(fā)進程.由於單一器件可以覆蓋多個頻率范圍,設計者無需為不同頻率準備多種石英晶振晶體振蕩器,簡化了庫存管理,降低了供應鏈的復雜性.
在實際應用中,可程式設計振蕩器還具備小尺寸和低功耗的特點,這得益于其高集成度設計.這使得它們非常適用于便攜式設備等對空間和能耗敏感的應用場景.
三、可程式設計振蕩器的局限性
盡管可程式設計振蕩器有許多優(yōu)點,但它們在某些方面仍存在局限性.首先,在相位雜訊方面,雖然可程式設計振蕩器的表現(xiàn)已得到顯著改善,但在一些高性能應用中,仍然不如傳統(tǒng)固定頻率石英晶體振蕩器.此外,相較于專用的高精度溫補晶振晶體振蕩器(TCXO),可程式設計振蕩器在極端溫度下的穩(wěn)定性也可能略遜一籌.
另一個需要考慮的問題是程式設計復雜性.使用可程式設計振蕩器通常需要特定的軟體和程式設計工具,這在多頻率配置時可能會增加使用的復雜性.而且,盡管整體庫存管理成本可能降低,但單個可程式設計振蕩器的成本往往高于傳統(tǒng)固定頻率振蕩器.
車規(guī)級別晶振,耐高溫汽車晶振,有源差分晶振
車規(guī)級別晶振,耐高溫汽車晶振,有源差分晶振
可程式設計振蕩器的特點、優(yōu)勢與局限性及其相位雜訊和抖動的優(yōu)化
隨著電子設備的不斷進步,進口晶振對頻率源的靈活性和性能要求也越來越高.可程式設計振蕩器作為一種能夠通過程式設計設定輸出頻率的富士晶振晶體振蕩器,因其獨特的特點和優(yōu)勢,廣泛應用于各種需要靈活頻率配置的電子設備中.本文將探討可程式設計振蕩器的特點、優(yōu)勢及局限性,并深入分析其在相位雜訊和抖動優(yōu)化方面的關鍵技術.
車規(guī)級別晶振,耐高溫汽車晶振,有源差分晶振
一、可程式設計振蕩器的特點
可程式設計振蕩器具有許多顯著特點,使其在現(xiàn)代電子設計中備受青睞.首先,頻率可程式設計是其最核心的特點,通過數(shù)位介面(如I²C、SPI等)進行程式設計,可調范圍通常覆蓋幾千赫茲到數(shù)百兆赫茲.這種靈活性使得設計者能夠根據(jù)實際需求快速更改頻率、占空比等參數(shù),極大地提升了設計的靈活性和適應性.
此外,可程式設計振蕩器還具有多功能性,支援多種輸出模式,包括單端輸出(如CMOS)和LVDS差分晶振輸出(如LVPECL、LVDS).這種多功能性使得它們能夠適應不同的應用場景,減少了對外部元件的需求,提高了電路設計的集成度.
二、可程式設計振蕩器的優(yōu)勢
可程式設計振蕩器的優(yōu)勢在于其設計靈活性、簡化的庫存管理以及快速的原型設計能力.在產(chǎn)品開發(fā)初期,頻率可能尚未確定,這時使用可程式設計振蕩器能夠減少設計變更帶來的麻煩,并允許在生產(chǎn)后或現(xiàn)場進行程式設計調整,從而加快開發(fā)進程.由於單一器件可以覆蓋多個頻率范圍,設計者無需為不同頻率準備多種石英晶振晶體振蕩器,簡化了庫存管理,降低了供應鏈的復雜性.
在實際應用中,可程式設計振蕩器還具備小尺寸和低功耗的特點,這得益于其高集成度設計.這使得它們非常適用于便攜式設備等對空間和能耗敏感的應用場景.
三、可程式設計振蕩器的局限性
盡管可程式設計振蕩器有許多優(yōu)點,但它們在某些方面仍存在局限性.首先,在相位雜訊方面,雖然可程式設計振蕩器的表現(xiàn)已得到顯著改善,但在一些高性能應用中,仍然不如傳統(tǒng)固定頻率石英晶體振蕩器.此外,相較于專用的高精度溫補晶振晶體振蕩器(TCXO),可程式設計振蕩器在極端溫度下的穩(wěn)定性也可能略遜一籌.
另一個需要考慮的問題是程式設計復雜性.使用可程式設計振蕩器通常需要特定的軟體和程式設計工具,這在多頻率配置時可能會增加使用的復雜性.而且,盡管整體庫存管理成本可能降低,但單個可程式設計振蕩器的成本往往高于傳統(tǒng)固定頻率振蕩器.
車規(guī)級別晶振,耐高溫汽車晶振,有源差分晶振
晶振編碼型號編號 | 型號 | 晶振頻率 | 晶振輸出 | 晶振電壓 | 工作溫度 | 腳位 | 尺寸 | 晶振頻差 | 富士通晶振制造商 |
FCO3C013025A3CBY00 | XO | 13.02519 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C026666A3CCU00 | XO | 26.6667 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C013125A3CBY00 | XO | 13.125225 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C024567A3CCU00 | XO | 24.567 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3K03276850CWD00 | XO | 32.768 kHz | CMOS | 5V | 0°C ~ 70°C | 4 | 3225 | ±25ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3K03276833CPD00 | XO | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V | -10°C ~ 60°C | 4 | 3225 | ±25ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C009840A3CCU00 | XO | 9.840625 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C026637A3CCU00 | XO | 26.63716 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C012444A3CCU00 | XO | 12.444444 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C023540A3CBY00 | XO | 23.54 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C019096A3CBY00 | XO | 19.0966 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C002000A3CCU00 | XO | 2 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C015437A3CBY00 | XO | 15.437823 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C013513A3CFU00 | XO | 13.513 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±50ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C020830A3CCU00 | XO | 20.83 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C012288A3CBY00 | XO | 12.2888 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C025416A3CCU00 | XO | 25.4167 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C04490033CGE00 | XO | 44.9 MHz | CMOS | 3.3V | -20°C ~ 70°C | 4 | 3225 | ±100ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C020828A3CBY00 | XO | 20.8286 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C04492818CBY00 | XO | 44.928 MHz | CMOS | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C017177A3CCU00 | XO | 17.1776 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C016667A3CCU00 | XO | 16.667 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C02948018CBY00 | XO | 29.48 MHz | CMOS | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C020356A3CBY00 | XO | 20.3563 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C015384A3CCU00 | XO | 15.3842 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C044863A3CCU00 | XO | 44.8634 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C011130A3CCU00 | XO | 11.13 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C014150A3CBY00 | XO | 14.15 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C014368A3CCU00 | XO | 14.368 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C052224A3CBY00 | XO | 52.224 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C013000A3CBY00 | XO | 13 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C028259A3CCU00 | XO | 28.2594 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±20ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C020150A3CBY00 | XO | 20.15 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C044960A3CFU00 | XO | 44.96 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 105°C | 4 | 3225 | ±50ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C014145A3CBY00 | XO | 14.1456 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C016670A3CBY00 | XO | 16.67 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
FCO3C012000A3CBY00 | XO | 12 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | -40°C ~ 85°C | 4 | 3225 | ±15ppm | Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited |
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此文關鍵字: 有源晶振
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