相比之下，石英TCXO晶振架構(gòu)使用具有溫度傳感器（例如BJT帶隙溫度傳感器或熱敏電阻）的外部CMOS IC和安裝在距離石英晶體很遠的陶瓷封裝中的補償電路。結(jié)果，石英TCXO在諧振器和溫度傳感器之間遭受弱的熱耦合。因此，當部件受到快速變化的熱干擾時，晶體和溫度傳感器之間存在溫度滯后。晶體和溫度傳感器之間的大的溫度偏移導致在溫度補償方案中應(yīng)用錯誤的系數(shù)，這產(chǎn)生輸出時鐘的頻移遠離期望的頻率。此外，由于熱事件引起的頻率偏移將長時間停留，因為晶體和傳感器分別穩(wěn)定在其穩(wěn)態(tài)溫度值。實際上，當石英TCXO受到熱干擾時，例如打開風扇進行對流冷卻或者為相鄰的系統(tǒng)組件供電，消耗大量的熱量時，通常會在系統(tǒng)中觀察到輸出頻率的波動。

在ComsolMultiphysics®中進行的熱模擬驗證了DualMEMS模具結(jié)構(gòu)的固有優(yōu)勢。圖1顯示了在應(yīng)用入射到DualMEMS芯片一側(cè)的對流熱通量期間TempFlat諧振器和溫度傳感器之間的溫度偏移。這種高度不對稱的熱通量為基于DualMEMS的設(shè)備提供了最糟糕的情況，因為施加的熱源更接近石英晶體諧振器之一，因此在TempFlat諧振器和溫度傳感器諧振器之間強制出現(xiàn)熱梯度（盡管很小）。在實際情況中，熱通量將入射到所有側(cè)面，使得兩個諧振器對稱地加熱。盡管如此，DualMEMS結(jié)構(gòu)仍然顯示出對熱干擾非常有彈性。在該示例中，如圖1所示，熱通量在TempFlat和溫度傳感器諧振器之間僅產(chǎn)生52mK的溫度偏差，并且在小于10ms之后溫度穩(wěn)定到其穩(wěn)態(tài)值。然而，當受到入射在壓電石英晶體頂部的相同熱通量時，基于石英的振蕩器不那么堅固。圖2表明石英晶體和CMOS IC與溫度傳感器之間的溫度偏差要大得多，幾乎為3.5K，并且需要將近1s才能達到此值。顯然，結(jié)果表明Elite Platform DualMEMS架構(gòu)的熱性能比典型的石英TCXO好幾個數(shù)量級。

使用硅MEMS技術(shù)可以在同一芯片上制造定時陶瓷諧振器和溫度傳感器。使用傳統(tǒng)的石英晶體組裝工藝不可能同時振制造諧振器和溫度傳感器。石英TCXO的封裝，材料和性能限制需要晶體和溫度傳感器之間的大位移。石英傳感器需要對石英坯料進行細致的加工，拋光和修整，以在整個溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)所需的頻率穩(wěn)定性，而CMOS IC上的振蕩器電路，溫度傳感器和補償電路使用傳統(tǒng)的硅微加工技術(shù)制造。將這兩個基于兩種不同材料系統(tǒng)的組件集成在一起會帶來許多挑戰(zhàn)。石英換能器通常使用導電粘合劑安裝在陶瓷封裝中，使得其用環(huán)境氮氣懸浮在封裝腔中。晶體通過鎢通孔和金線鍵合電連接到CMOS IC，CMOS IC安裝在封裝的底部。圖3a顯示了一體化石英晶體振蕩器陶瓷封裝的橫截面示意圖3b頂蓋上安裝有石英晶體的去蓋部分和3c與石英晶體相同的部分移除后，顯示CMOS IC，溫度傳感器，振蕩器和補償電路安裝在封裝底座上的晶體下方。

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